[发明专利]一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法有效
| 申请号： | 202210060298.X | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114560705B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 杨大胜;施纯锡 | 申请（专利权）人： | 福建华清电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64 |
| 代理公司： | 泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人： | 林小彬 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化铝陶瓷基板领域，提供一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法，解决现有技术的采用研磨工艺的氮化铝陶瓷基本生产成本较高而不研磨的陶瓷基板表面凹坑深度过高不符合产品质量指标的缺陷；包括以下制备步骤：（1）流延浆料的配置，以氮化铝粉体为主原料，搭配烧结助剂，并添加有机助剂，制成浆料;（2）流延成型：通过流延成型获得生坯带；（3）冲压成片；（4）敷粉排胶；（5）烧结；（6）表面处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 研磨 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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