[发明专利]一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法有效
| 申请号: | 202210060298.X | 申请日: | 2022-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN114560705B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
| 发明(设计)人: | 杨大胜;施纯锡 | 申请(专利权)人: | 福建华清电子材料科技有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/581 | 分类号: | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64 |
| 代理公司: | 泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 林小彬 |
| 地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 研磨 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:
(1)流延浆料的配置,以氮化铝粉体为主原料,搭配烧结助剂,并添加有机助剂,制成浆料;
(2)流延成型:通过流延成型获得生坯带;
(3)冲压成片:将步骤(2)所得的生坯带放入冲片机上进行冲压,得到所需形状及尺寸的生坯片;
(4)敷粉排胶:将步骤(3)制得的生坯片逐片放入设备传送带的托盘上,在各个生坯片的表面均匀喷洒雾化后的隔粘料,然后逐叠放入排胶炉中,排胶保温温度控制在430~460℃,排胶时间为50~54h;雾化后的隔粘料粒径为0.5-5μm;
(5)烧结:将排胶后的生坯片置于烧结炉中烧结12~20h,烧结温度为1820~1850℃,升温速率6~8℃/min,烧结过程在氮气或惰性气体气氛下进行,获得熟坯片;
(6)表面处理:将熟坯片送入改性弱碱溶液中浸泡处理去除表面的敷粉,再取出晾干,即得到不研磨氮化铝陶瓷基板;所述改性弱碱溶液由100~110重量份的有机硅酸盐及50~60重量份弱碱性溶液组成。
2.根据权利要求1所述的一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤(6)中熟坯片在送入改性弱碱性溶液前还先通过振磨设备去除表面的部分敷粉。
3.根据权利要求2所述的一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤(6)中晾干后再送入扫光设备对熟坯片的表面进行扫光处理,使熟坯片的表面平整光亮,即得到不研磨氮化铝陶瓷基板。
4.根据权利要求3所述的一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述扫光设备的上盘为全猪毛/羊毛刷。
5.根据权利要求1所述的一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,流延浆料配置后进行球磨和脱泡处理,进而制成流延浆料。
6.根据权利要求1所述的一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述隔粘料为氮化硼或氮化铝粉。
7.根据权利要求1所述的一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述隔粘料通过雾化装置喷洒在各个生坯片的表面,所述雾化装置包括储料罐、与储料罐连通的输料管、与输料管连通的液体雾化转化器、与液体雾化转化器连通的出料器,所述出料器设有出料盘,所述出料盘表面开设有均匀密布的微孔,所述微孔的孔径为0.5-5μm。
8.根据权利要求7所述的一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述出料盘的宽度和长度均大于生坯片的宽度和长度。
9.根据权利要求7所述的一种不研磨氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述出料盘设置在生坯片正上方10-30cm处。
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