[发明专利]横向光电探测器在审
| 申请号： | 202210055383.7 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114512557A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 周幸叶;吕元杰;王元刚;梁士雄;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/107 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张一 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上；X个阳极区和Y个阴极区，X个阳极区和Y个阴极区交替排列，均形成于第一外延层上；其中，X个阳极区和Y个阴极区相互之间均未直接接触，每两个相邻的阳极区和阴极区通过第一外延层形成横向PIN结；X个第一电极，一一对应形成于X个阳极区上，X个第一电极通过第一金属带线电连接；Y个第二电极，一一对应形成于Y个阴极区上，Y个第二电极通过第二金属带线电连接。本发明能够提高光电探测器的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 光电 探测器 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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