[发明专利]横向光电探测器

权利要求书

1.一种横向光电探测器，其特征在于，包括

衬底；

第一外延层，形成于所述衬底上；

X个阳极区和Y个阴极区，X个阳极区和Y个阴极区交替排列，均形成于所述第一外延层上；其中，X个阳极区和Y个阴极区相互之间均未直接接触，每两个相邻的阳极区和阴极区通过所述第一外延层形成横向PIN结；

X个第一电极，一一对应形成于X个阳极区上，X个第一电极通过第一金属带线电连接；

Y个第二电极，一一对应形成于Y个阴极区上，Y个第二电极通过第二金属带线电连接。

2.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述第一外延层在每两个相邻的阳极区和阴极区之间形成一个隔离平台。

3.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，X个阳极区均为第一掺杂浓度的重掺杂P型区；

Y个阴极区均为第二掺杂浓度的重掺杂N型区；

所述第一外延层为第三掺杂浓度的轻掺杂P型或者轻掺杂N型半导体材料；其中，第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于所述第三掺杂浓度。

4.如权利要求3所述的横向光电探测器，其特征在于，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均处于10¹⁸～10²⁰cm^-3范围；

所述第三掺杂浓度处于10¹⁴～10¹⁸cm^-3范围，且不包括10¹⁸cm^-3。

5.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述衬底为半绝缘型半导体材料或者导电型半导体材料。

6.如权利要求5所述的横向光电探测器，其特征在于，所述衬底为硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅、金刚石、蓝宝石中的任意一种。

7.如权利要求1至6任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，所述探测器还包括：

设置在所述第一外延层和所述衬底之间的至少一层缓冲层；或者，

设置在所述第一外延层和所述衬底之间的第二外延层，所述第二外延层与所述第一外延层的半导体材料类型不同。

8.如权利要求1至6任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，X个阳极区和Y个阴极区均为矩形，或者均为圆形，或者均为环形。

9.如权利要求1至6任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，所述探测器还包括：

设置在所述横向光电探测器的上表面，覆盖除X个第一电极和Y个第二电极以外区域的钝化层。

10.如权利要求1至6任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，所述探测器还包括：

设置在所述横向光电探测器的上表面，覆盖除X个第一电极和Y个第二电极以外区域的增透膜层。