[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210053083.5 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN115274648A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 金恩靓;金惠远;崔世领 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 沈照千;刘美华 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域、外围区域以及在单元区域与外围区域之间的边界区域；单元有源图案，在基底的单元区域上；外围有源图案，在基底的外围区域上；边界绝缘图案，设置在基底的边界区域上并且设置在单元有源图案与外围有源图案之间；以及缓冲图案，设置在基底的单元区域上并且设置在边界绝缘图案与单元有源图案之间。缓冲图案在与基底的顶表面平行的第一方向上的宽度可以大于每个单元有源图案在第一方向上的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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