[发明专利]一种InAs/GaSb超晶格生长方法有效
| 申请号： | 202210049044.8 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114457419B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 胡雨农;周朋;邢伟荣;刘铭 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/68;H01L31/0352;H01S5/32 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法，包括：在Sb源提供的Sb束流保护下，基于GaSb衬底生长缓冲层；打开As源针阀至第一开度，将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护，其中，所述第一开度大于所需的目标开度，所述目标开度对应于所需的As束流，以及在第一开度的As束流保护氛围下浸润预设时长后，降低As针阀开度至所述目标开度；执行第一周期的InAs/GaSb超晶格生长；在所述第一周期结束前，将As源针阀开启至所述目标开度，以在As束流保护保护下，执行第二周期的InAs/GaSb超晶格生长。本公开的方法先将打开As源针阀至第一开度，并持续指定的时长，再调整至所需的目标开度，从而能够使As束流快速达到期望水平，提高InAs/GaSb超晶格的生长效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inas gasb 晶格 生长 方法 | ||
【主权项】：
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