[发明专利]一种钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210047627.7 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN115249768A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 胡袁源;仇鑫灿;夏江南 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种高效稳定钙钛矿薄膜晶体管及其制备方法，即通过在衬底沉积金属氧化物插入层，可优化其上旋涂的钙钛矿薄膜取向，得到定向排列的高质量的钙钛矿薄膜，在此基础上制备的场效应晶体管中能在室温下工作，且稳定性佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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