[发明专利]三维存储器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202210040325.7 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114256246A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 孔果果;童宇诚;周运帆;何世伟;庄梦琦;吴冈;戴灿发 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11519;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11565 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维存储器件及其制作方法，包括一衬底以及一存储堆叠结构设置在所述衬底上。第一阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第一侧。第二阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第二侧。第三阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第三侧。自所述衬底的表面，所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构以及所述第三阶梯结构的台阶分别位于不同高度处，以分别扇出存储堆叠结构的各个导电层。通道结构，沿着垂直方向贯穿所述存储堆叠结构及电介质层、蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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