[发明专利]三维存储器件及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

存储堆叠结构，设置在所述衬底上，包括多组导电-电介质层对；

第一阶梯结构，位于所述存储堆叠结构的第一侧；

第二阶梯结构，位于所述存储堆叠结构的第二侧；

第三阶梯结构，位于所述存储堆叠结构的第三侧，其中自所述衬底的表面，所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构以及所述第三阶梯结构的台阶分别位于不同高度处；以及

通道结构，沿着垂直方向贯穿所述存储堆叠结构及电介质层、蚀刻停止层。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，还包括第四阶梯结构，位于所述存储堆叠结构的第四侧。

3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，自所述衬底的所述表面，所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构、所述第三阶梯结构以及所述第四阶梯结构的台阶分别位于不同高度处。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于，在所述第一阶梯结构的相邻台阶之间、所述第二阶梯结构的相邻台阶之间、所述第三阶梯结构的相邻台阶之间以及所述第四阶梯结构的相邻台阶之间均相差四组所述导电-电介质层对的高度。

5.根据权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于，还包括：

第五阶梯结构，位于第一阶梯结构和第三阶梯结构之间；以及

第六阶梯结构，位于第二阶梯结构和第三阶梯结构之间，其中自所述衬底的所述表面，所述第五阶梯结构与所述第四阶梯结构的台阶位于相同高度处，所述第六阶梯结构与所述第一阶梯结构的台阶位于相同高度处。

6.根据权利要求2所述的三维存储器件，其特征在于，自所述衬底的所述表面，所述第三阶梯结构以及所述第四阶梯结构的台阶位于相同高度处。

7.根据权利要求6所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一阶梯结构的相邻台阶之间、所述第二阶梯结构的相邻台阶之间、所述第三阶梯结构的相邻台阶之间以及所述第四阶梯结构的相邻台阶之间均相差三组所述导电-电介质层对的高度。

8.一种三维存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成存储堆叠结构，包括多组导电-电介质层对，其中所述存储堆叠结构的四侧分别包括第一区、第二区、第三区以及第四区；

对所述第一区进行第一蚀刻工艺，移除一组所述导电-电介质层对；

对所述第二区进行第二蚀刻工艺，移除两组所述导电-电介质层对；以及

所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺之后，对所述存储堆叠结构进行修整-蚀刻工艺，以分别于所述第一区、所述第二区、所述第三区以及所述第四区同时形成第一阶梯结构、第二阶梯结构、第三阶梯结构以及第四阶梯结构，其中自所述衬底的表面，所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构以及所述第三阶梯结构的台阶分别位于不同高度处。

9.根据权利要求8所述的三维存储器件的制作方法，其特征在于，所述修整-蚀刻工艺包括：

步骤a，形成一遮罩层于所述存储堆叠结构上；

步骤b，修整所述遮罩层，显露出所述存储堆叠结构的所述第一区、所述第二区、所述第三区以及所述第四区的部分顶面；

步骤c，以所述遮罩层为蚀刻遮罩对所述存储堆叠结构进行蚀刻，分别在所述第一区、所述第二区、所述第三区以及所述第四区同时形成一个台阶，其中步骤b包括蚀刻三组所述导电-电介质层对；以及

步骤d，循环进行步骤b和c，获得所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构、所述第三阶梯结构以及所述第四阶梯结构的多个台阶。

10.根据权利要求8所述的三维存储器件的制作方法，其特征在于，还包括在所述修整-蚀刻工艺之前对所述第三区进行第三蚀刻工艺，移除三组所述导电-电介质层对。