[发明专利]面向医疗成像的半导体硅基的混合成像芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202210034387.7 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114050168B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;刘刚;何兵;代琪 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军火箭军工程大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/103;G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;黄健 |
| 地址： | 710025 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请提供一种面向医疗成像的半导体硅基的混合成像芯片及制备方法，包括：微桥结构、电连接支撑柱以及半导体衬底，其中，电连接支撑柱位于半导体衬底上，电连接支撑柱用于支撑微桥结构，并将微桥结构上的第一电信号引出到半导体衬底内，半导体衬底内设有P型区域和N型区域，且在P型区域与N型区域接触的部分形成PN结，P型区域和N型区域位于微桥结构的下方，在P型区域和N型区域的下方设有转换膜层，通过如此设置，可以提高混合成像芯片的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 医疗 成像 半导体 混合 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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