[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202210033671.2 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114388627A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 范扬顺;黄震铄 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括：半导体层、第一栅极、第一栅绝缘层、第二栅极、第三栅极、以及第二栅绝缘层。第一栅极位于半导体层的一侧。第一栅绝缘层位于第一栅极与半导体层之间。第二栅极及第三栅极位于半导体层的另一侧，且第二栅极与第三栅极分离。第二栅绝缘层位于第二栅极及第三栅极与半导体层之间。第一栅极于半导体层的正投影部分重叠第二栅极于半导体层的正投影，且第一栅极于半导体层的正投影部分重叠第三栅极于半导体层的正投影。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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