[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

半导体层；

第一栅极，位于所述半导体层的一侧；

第一栅绝缘层，位于所述第一栅极与所述半导体层之间；

第二栅极及第三栅极，位于所述半导体层的另一侧，且所述第二栅极与所述第三栅极分离；以及

第二栅绝缘层，位于所述第二栅极及所述第三栅极与所述半导体层之间，

其中，所述第一栅极于所述半导体层的正投影部分重叠所述第二栅极于所述半导体层的正投影，且所述第一栅极于所述半导体层的正投影部分重叠所述第三栅极于所述半导体层的正投影。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第二栅极重叠所述半导体层且重叠所述第一栅极的面积及所述第三栅极重叠所述半导体层且重叠所述第一栅极的面积的和与所述第一栅极重叠所述半导体层的面积的比介于40％至60％之间。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅极、所述第二栅极及所述第三栅极电性连接。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅极的中心线重叠所述第二栅极与所述第三栅极之间的中心线。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第二栅极与所述第三栅极的尺寸相同。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第二栅绝缘层覆盖所述第二栅极及所述第三栅极。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第二栅绝缘层的厚度大于所述第一栅绝缘层的厚度。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括源极，电性连接所述半导体层的一端，且所述第二栅极于所述半导体层的正投影位于所述源极于所述半导体层的正投影与所述第一栅极于所述半导体层的正投影之间。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，还包括漏极，电性连接所述半导体层的另一端，且所述第三栅极于所述半导体层的正投影位于所述漏极于所述半导体层的正投影与所述第一栅极于所述半导体层的正投影之间。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第二栅极与所述第三栅极之间的最小间距为1.2μm。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层的材质包括氧化物半导体材料、硅质半导体材料或有机半导体材料。