[发明专利]具有分裂栅极的竖直沟槽栅型FET在审
| 申请号： | 202210030021.2 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114765214A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | S·金;S·斯瑞达;M-C·李;T·E·葛瑞布斯;H·杨 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了具有分裂栅极的竖直沟槽栅型FET。一种半导体器件包括在具有第一导电类型的半导体层(220)中形成的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽。每个沟槽包括相应的场板(234)和在每个场板(234)上方的相应的栅极(260)。具有相反的第二导电类型的第一主体区(241)位于第一栅极(260)和第二栅极(260)之间，并且具有第二导电类型的第二主体区(242)位于第二栅极(260)和第三栅极(260)之间。第一源极区(250)位于第一主体区(241)上方，第二源极区(250)位于第二主体区(242)上方，第一源极区(250)和第二源极区(250)具有第一导电类型。第一栅极总线(283)与第一栅极(261)导电地连接，第二栅极总线(284)与第二栅极(262)导电地连接，第一栅极总线(283)与第二栅极总线(284)导电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分裂 栅极 竖直 沟槽 fet | ||
【主权项】：
暂无信息
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