[发明专利]具有分裂栅极的竖直沟槽栅型FET

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

在具有第一导电类型的半导体层中形成的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，每个沟槽包括相应的场板和位于每个场板上方的对应的栅极；

具有相反的第二导电类型的第一主体区，所述第一主体区位于第一栅极和第二栅极之间，以及具有所述第二导电类型的第二主体区，所述第二主体区位于所述第二栅极和第三栅极之间；

在所述第一主体区上方的第一源极区和在所述第二主体区上方的第二源极区，所述第一源极区和所述第二源极区具有所述第一导电类型；

导电地连接到所述第一栅极的第一栅极总线和导电地连接到所述第二栅极的第二栅极总线，所述第一栅极总线与所述第二栅极总线导电隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一源极区和所述第二源极区导电地连接到同一源极端子。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其还包括：

第一栅极焊盘，其导电地连接到所述第一栅极总线；和

第二栅极焊盘，其导电地连接到所述第一栅极总线。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括接触所述半导体层的重掺杂层，所述重掺杂层被配置为提供漏极触点。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极是第一场效应晶体管即第一FET的栅极，所述第二栅极是第二FET的栅极，所述第一FET是FET的第一真子集中的多个FET中的一个，所述第二FET是FET的第二真子集中的多个FET中的一个，每个FET具有相关栅极，并且所述FET的第一真子集的栅极连接到所述第一栅极总线，并且所述FET的第二真子集的栅极连接到所述第二栅极。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：

所述FET的第一真子集的数量与所述FET的第二真子集的数量的比率在1:100到1:1的范围内。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述FET的第一真子集的数量与所述FET的第二真子集的数量的比率为1:2。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一场板和所述第二场板导电地连接到所述源极区。

9.一种半导体器件，其包括：

具有第一表面的漂移区；

在所述漂移区上方的第一源极区和第二源极区，所述第一源极区和所述第二源极区耦合到源极端子；

在所述第一源极区和所述漂移区之间的第一主体结构；

在所述第二源极区和所述漂移区之间的第二主体结构；

第一栅极，其对应于所述第一主体结构；以及

第二栅极，其对应于所述第二主体结构；其中：

所述第一栅极导电地连接到被配置为接收第一电压的第一栅极总线；并且

所述第二栅极导电地连接到被配置为接收第二电压的第二栅极焊盘。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：

所述第一栅极被配置为响应于由所述第一栅极焊盘接收的所述第一电压等于或大于所述第一栅极的第一阈值电压，接通在所述第一主体结构中的第一沟道；并且

所述第二栅极被配置为响应于由所述第二栅极焊盘接收的所述第二电压等于或大于所述第二栅极的第二阈值电压，接通所述第二主体结构的第二沟道。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：

所述第一栅极被配置为响应于由所述第一栅极焊盘接收的所述第一电压等于或大于所述第一栅极的第一阈值电压，接通在所述第一主体结构中的第一沟道；并且

所述第二栅极被配置为响应于由所述第二栅极焊盘接收的所述第二电压小于所述第二栅极的第二阈值电压，关断所述第二主体结构的第二沟道。