[发明专利]成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210028630.4 申请日: 2022-01-11
公开(公告)号: CN114551486A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 唐鑫;郝群;陈梦璐;张硕 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/0352
代理公司: 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 代理人: 王艳斌
地址: 100086 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开涉及一种成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法,该方法包括:提供量子点光敏材料;基于量子点光敏材料,形成层叠设置的光电二极管;其中,光电二极管包括至少一个第一二极管和至少两个第二二极管,第一二极管和第二二极管依次间隔设置;各第一二极管在第一方向电压下导通,各第二二极管在第二方向电压下导通;第一方向电压和第二方向电压分别为正向电压和反向电压中的一种。由此,该方法不需要焊接烟柱,避免了由烟柱引起的信号响应不均匀和盲元等问题;同时还降低了工序复杂度,减少制造成本。该方法制备的成像器件通过调制偏压实现两种探测模式的切换,简化了成像光路系统与后期软件处理过程,降低了像素损失率和对准偏差。
搜索关键词: 成像 器件 制备 方法 阵列 及其
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