[发明专利]成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法在审
申请号: | 202210028630.4 | 申请日: | 2022-01-11 |
公开(公告)号: | CN114551486A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 唐鑫;郝群;陈梦璐;张硕 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 王艳斌 |
地址: | 100086 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开涉及一种成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法,该方法包括:提供量子点光敏材料;基于量子点光敏材料,形成层叠设置的光电二极管;其中,光电二极管包括至少一个第一二极管和至少两个第二二极管,第一二极管和第二二极管依次间隔设置;各第一二极管在第一方向电压下导通,各第二二极管在第二方向电压下导通;第一方向电压和第二方向电压分别为正向电压和反向电压中的一种。由此,该方法不需要焊接烟柱,避免了由烟柱引起的信号响应不均匀和盲元等问题;同时还降低了工序复杂度,减少制造成本。该方法制备的成像器件通过调制偏压实现两种探测模式的切换,简化了成像光路系统与后期软件处理过程,降低了像素损失率和对准偏差。 | ||
搜索关键词: | 成像 器件 制备 方法 阵列 及其 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的