[发明专利]成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种成像器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供量子点光敏材料；

基于所述量子点光敏材料，形成层叠设置的光电二极管；

其中，所述光电二极管包括至少一个第一二极管和至少两个第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管依次间隔设置；

各所述第一二极管在第一方向电压下导通，各所述第二二极管在第二方向电压下导通；所述第一方向电压和所述第二方向电压分别为正向电压和反向电压中的一种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成层叠设置的光电二极管，包括：

依次形成第一个第二二极管、第一个第一二极管、第二个第二二极管、……、第N-1个第一二极管以及第N个第二二极管；其中，N为整数，且N≥2；

或者

依次形成第一个第二二极管、第一个第一二极管、第二个第二二极管、……、第M个第二二极管以及第M个第一二极管；其中，M为整数，且M≥2。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在形成层叠设置的光电二极管之前，还包括：

提供第一类型导电基底层；

其中，形成所述第二二极管包括：

在第一类型导电基底层或者第一二极管上形成第二光敏量子点层；

在第二光敏量子点层上形成一第二类型掺杂量子点层；

其中，形成所述第一二极管包括：

在第二二极管上形成一第二类型掺杂量子点层；

在第二类型掺杂量子点层上形成第一光敏量子点层；

其中，所述第一类型和所述第二类型分别为P型和N型中的一种。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成第一光敏量子点层，包括：

配置第一光敏量子点层前驱液；

旋涂或者滴涂，以形成第一光敏量子点层；

和/或

形成第二光敏量子点层，包括：

配置第二光敏量子点层前驱液；

旋涂或者滴涂，以形成第二光敏量子点层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成第二类型掺杂量子点层，包括：

配置第二类型掺杂量子点层前驱液；

旋涂，以形成第二类型掺杂量子点层。

6.一种成像器件，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的方法制备而成。

7.根据权利要求6所述的成像器件，其特征在于，所有所述第一二极管的响应波段各不相同；

所有所述第二二极管的响应波段各不相同。

8.一种成像阵列的制备方法，其特征在于，包括：

提供导电基底层；

在所述导电基底层上形成像素电极；

在所述像素电极上形成层叠的功能膜层，以形成所述层叠设置的光电二极管；

在所述光电二极管背离所述像素电极的一侧形成公共地电极；

其中，所述光电二极管包括至少一个第一二极管和至少两个第二二极管所述第一二极管和所述第二二极管依次间隔设置；

各所述第一二极管在第一方向电压下导通，各所述第二二极管在第二方向电压下导通；所述第一方向电压和所述第二方向电压分别为正向电压和反向电压中的一种。

9.一种成像阵列的制备方法，其特征在于，包括：

提供导电基底层；

在所述导电基底层上形成像素电极和公共地电极；其中，所述公共地电极为网格状电极，且各所述像素电极分别位于所述网格状电极的格子内；

在所述像素电极和公共地电极上形成层叠的功能膜层，以形成所述层叠设置的光电二极管；

其中，所述光电二极管包括至少一个第一二极管和至少两个第二二极管所述第一二极管和所述第二二极管依次间隔设置；

各所述第一二极管在第一方向电压下导通，各所述第二二极管在第二方向电压下导通；所述第一方向电压和所述第二方向电压分别为正向电压和反向电压中的一种。

10.一种成像阵列，其特征在于，基于权利要求8或9所述的方法制备而成。