[发明专利]一种适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置及其使用方法在审
| 申请号： | 202210018862.1 | 申请日： | 2022-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN114388422A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 李俊宏 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650500 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置及其使用方法，包括主体结构以及三个使用步骤，其中，主体结构包括绝缘环、下水盘、静电盘、边缘环、定位环以及聚集环，绝缘环设置在最底部，且绝缘环水平设置，下水盘通过第一固定螺栓固定安装在绝缘环的上部。本发明提出的适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置及其使用方法，采用由静电硅胶制成的静电盘对碳化硅晶片进行静电吸附固定以保证碳化硅晶片在蚀刻工艺过程中的准确位置，最大程度降低了碳化硅晶片在蚀刻工艺过程中所受的机械外力影响，可避免碳化硅晶片翘曲以及产生暗伤，能够有效保证碳化硅晶片内晶粒的工艺质量以及碳化硅晶片的整体良率，且下料比较方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 碳化硅 刻蚀 晶片 固定 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李俊宏，未经李俊宏许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210018862.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
