[发明专利]一种适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置及其使用方法

权利要求书

1.一种适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置，其特征在于，包括：

主体结构，所述主体结构包括绝缘环（1）、下水盘（2）、静电盘（4）、边缘环（5）、定位环（7）以及聚集环（6），所述绝缘环（1）设置在最底部，且所述绝缘环（1）水平设置。

2.根据权利要求2所述的一种适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置，其特征在于，所述下水盘（2）通过第一固定螺栓（101）固定安装在所述绝缘环（1）的上部，且所述下水盘（2）与所述绝缘环（1）同轴设置，所述静电盘（4）通过第二固定螺栓（401）固定安装在所述下水盘（2）的上部，且所述静电盘（4）与所述下水盘（2）同轴设置，所述静电盘（4）的上部居中一体设有圆柱形凸台（404），所述圆柱形凸台（404）的侧部边缘与所述静电盘（4）的上部之间一体设有环形安装座（402），所述边缘环（5）固定套装在所述环形安装座（402）的外环面上，且所述边缘环（5）与所述静电盘（4）同轴设置，所述定位环（7）固定安装在所述边缘环（5）的上部，且所述定位环（7）与所述边缘环（5）同轴设置，所述定位环（7）的内环面上一体设有环形凸沿（701），所述环形凸沿（701）的底部与所述定位环（7）的底部齐平设置，且所述环形凸沿（701）的上表面与所述圆柱形凸台（404）的上表面齐平设置，所述聚集环（6）共同套装在所述下水盘（2）、所述静电盘（4）、所述边缘环（5）以及所述定位环（7）的外部，且所述聚集环（6）的上表面低于所述定位环（7）的上表面设置；

其中，所述绝缘环（1）由绝缘塑料制成，且所述绝缘环（1）用于使下电极与碳化硅刻蚀工艺反应腔进行有效隔离，避免所述下电极发生短路现象；

其中，所述下水盘（2）的内部具有涡状线形冷却水循环通路，且所述下水盘（2）用于为所述静电盘（4）进行降温以满足碳化硅晶片蚀刻工艺过程中要求的温度，所述下水盘（2）的中心位置处还预留有安装槽（201），所述安装槽（201）的内部通过配装板（802）固定有伸缩气缸（8），所述伸缩气缸（8）的伸缩杆端部固定安装有连接座（801），所述连接座（801）通过第三固定螺栓（803）与配装座（403）固定连接，所述配装座（403）固定安装在所述静电盘（4）的底部中心位置处，所述下水盘（2）的上部还预留有环形配装槽（202），所述环形配装槽（202）的内部设有环形硅胶垫（3），所述环形硅胶垫（3）通过第四固定螺栓（301）与所述静电盘（4）的底部固定连接；

其中，所述静电盘（4）由静电硅胶制成，且所述静电盘（4）用于对碳化硅晶片进行静电吸附固定以保证碳化硅晶片在蚀刻工艺过程中的准确位置；

其中，所述边缘环（5）用于对所述静电盘（4）的边缘进行保护，以防止所述静电盘（4）在蚀刻工艺过程中快速老化损坏；

其中，所述定位环（7）的内环面上对齐其上表面一体设有限位板（702），且所述定位环（7）用于限定碳化硅晶片在蚀刻工艺过程中的准确放置区，以保证有效的蚀刻工艺区域；

其中，所述聚集环（6）为陶瓷材质制成，且所述聚集环（6）用于使有效电荷集中分布在碳化硅晶片蚀刻工艺区域内以保证蚀刻效果；

其中，所述圆柱形凸台（404）的上表面用于支撑碳化硅晶片，且所述圆柱形凸台（404）的上表面粗糙度不大于Ra0.02；

所述下水盘（2）的上部还预留有若干环形散热槽（203）。

3.根据权利要求2所述的一种适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置，其特征在于，所述聚集环（6）的内环面上还预留有用于容纳所述下水盘（2）、所述静电盘（4）、所述边缘环（5）以及所述定位环（7）的环形容纳槽（601）。

4.根据权利要求3所述的一种适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置，其特征在于，所述下水盘（2）的底部临近其侧边缘还预留有环形变形槽（204），所述环形容纳槽（601）的槽壁上一体设有环形凸圈（603），所述环形凸圈（603）与所述环形变形槽（204）相配合设置。

5.根据权利要求2所述的一种适用于碳化硅刻蚀用的晶片固定装置，其特征在于，所述聚集环（6）的底部还一体设有环形加强圈（602），所述环形加强圈（602）与所述聚集环（6）同轴设置。