[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210015164.6 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN115911085A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;大桥辉之;尾形昂洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/07 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 朴勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；栅极电极，沿第一方向延伸；以及碳化硅层，具有第一面和第二面，包括：第一导电型的第一碳化硅区，具有第一区、与栅极电极相向的第二区以及与第一电极相接的第三区；第二区与第三区之间的第二导电型的第二碳化硅区；第二导电型的第三碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第二区；第二导电型的第四碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第三区；第一导电型的第五碳化硅区；第二导电型的第六碳化硅区，设置于第一区与第二碳化硅区之间；以及第二导电型的第七碳化硅区，在第一区与第二碳化硅区之间，在第一方向上与第六碳化硅区分开地设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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