[发明专利]生长氮化物膜的方法在审
申请号: | 202210011192.0 | 申请日: | 2022-01-06 |
公开(公告)号: | CN116154067A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 李惠龙;崔泳畯;吴海坤 | 申请(专利权)人: | 卢密基恩科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/02 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑元博 |
地址: | 韩国京畿道光*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 根据示例性实施例的生长氮化物膜的方法包括:将衬底装入到生长空间中;以及在衬底上生长氮化物膜,其中生长氮化物膜可包括:使第一反应气体与源原料反应,以向生长空间供应所产生的气体;向生长空间供应第二反应气体;及向生长空间供应含氧气体及含氢气体。因此,根据示例性实施例,即使当氮化物膜形成得薄时,也可对氮化物膜的上表面进行平坦化。因此,可减少生长或形成氮化物膜直到其上表面被平坦化所需的工艺时间,且因此,具有提高生产率的效果。 | ||
搜索关键词: | 生长 氮化物 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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