[发明专利]生长氮化物膜的方法

说明书

根据示例性实施例的生长氮化物膜的方法包括：将衬底装入到生长空间中；以及在衬底上生长氮化物膜，其中生长氮化物膜可包括：使第一反应气体与源原料反应，以向生长空间供应所产生的气体；向生长空间供应第二反应气体；及向生长空间供应含氧气体及含氢气体。因此，根据示例性实施例，即使当氮化物膜形成得薄时，也可对氮化物膜的上表面进行平坦化。因此，可减少生长或形成氮化物膜直到其上表面被平坦化所需的工艺时间，且因此，具有提高生产率的效果。

技术领域

本公开涉及一种生长氮化物膜的方法，且更具体来说涉及一种生长如下氮化物膜的方法，其中所述氮化物膜可在具有突出部分的衬底(即图案化蓝宝石衬底(patternedsapphire substrate，PSS))上生长得薄，然而可对氮化物膜的上表面进行平坦化。

背景技术

通过在蓝宝石衬底上生长氮化物半导体薄膜(例如氮化铝(AlN)膜)，制造氮化物系发光二极管。此时，为了提高发射到外部的光的提取效率，使用包括多个突出部分的衬底，所述衬底通常被称为图案化蓝宝石衬底(PSS)，且在衬底上生长AlN膜。

同时，为了提高发光二极管的品质或发光效率，有必要对形成在衬底上的AlN膜的上表面进行平坦化。然而，其上制备AlN膜的衬底包括所述多个突出部分，AlN膜需要形成得厚以使得能够对其上表面进行平坦化。即，为了对上表面进行平坦化，AlN膜需要形成得厚。因此，存在生长AlN膜需要很长时间的问题。

[现有技术文献]

[专利文献1]韩国专利公开出版物10-2016-0122118

发明内容

本公开提供一种能够减少氮化物膜的生长时间的生长氮化物膜的方法。

本公开还提供一种生长氮化物膜的方法，所述方法能够在具有突出部分的衬底、即图案化蓝宝石衬底(PSS)上将氮化物膜生长成薄的厚度，并对氮化物膜的上表面进行平坦化。

根据示例性实施例，一种生长氮化物膜的方法包括：将衬底装入到生长空间中；以及在所述衬底上生长氮化物膜，其中所述生长氮化物膜可包括：使第一反应气体与源原料反应，并向所述生长空间供应所产生的气体；向所述生长空间供应第二反应气体；及向所述生长空间供应含氧气体及含氢气体。

所述方法可还包括：在所述将衬底装入到所述生长空间中之前，调节所述生长空间内部的温度；以及在所述生长氮化物膜之前，以第一供应量向所述生长空间供应所述第二反应气体，以使所述衬底氮化。

在所述使所述第一反应气体与所述源原料的反应中，所述方法可还包括：向安装在所述生长空间的一侧上的接收部中供应所述第一反应气体，且在所述接收部中接收所述源原料；以及在所述生长氮化物膜之前，以第一供应量向所述接收部供应所述第一反应气体。

在所述生长氮化物膜中，所述向所述接收部供应所述第一反应气体可包括：以大于所述第一供应量的第二供应量供应所述第一反应气体；以及以大于所述第二供应量的第三供应量供应所述第一反应气体。

在所述生长氮化物膜中，所述向所述生长空间供应所述第二反应气体可包括：以小于所述第一供应量的第二供应量供应所述第二反应气体；以及以小于所述第一供应量且大于所述第二供应量的第三供应量供应所述第二反应气体。

在所述向所述生长空间供应所述含氧气体中，所述含氧气体在向所述生长空间供应的气体的总体积中的体积比可为近似0.01体积％到近似0.1体积％。

在所述向所述生长空间供应所述含氧气体中，可从所述将所述衬底装到所述生长空间开始到所述生长所述氮化物膜结束供应所述含氧气体。

在所述向所述生长空间供应所述含氧气体中，从所述将所述衬底装到所述生长空间的所述开始到所述生长所述氮化物膜的所述结束，可以相同的量供应所述含氧气体。