[发明专利]一种微发光二极管制备方法及微发光二极管在审
| 申请号： | 202210005295.6 | 申请日： | 2022-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114361300A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张珂;陈家华 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L21/324;H01L33/02;H01L33/36;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 宋家会 |
| 地址： | 518110 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种微发光二极管制备方法及微发光二极管，涉及半导体技术领域。微发光二极管制备方法包括：提供或制备外延层；在外延层的一侧表面制备透明导电层；刻蚀透明导电层和外延层，并获得台面结构和发光凸台，发光凸台上保留透明导电层；进行第一次退火处理，使透明导电层与发光凸台欧姆接触；清洗外延层，以清除外延层表面的晶粒凸起；在台面结构上制作第一电极层，并进行第二次退火处理，使第一电极层与台面结构欧姆接触；在透明导电层一侧表面制作第二电极层。本申请提供的微发光二极管制备方法可使电极层与外延层具有良好的欧姆接触，延长微发光二极管使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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