[发明专利]一种适用于大功率裸芯片散热的复合式衬底结构有效
| 申请号： | 202210003535.9 | 申请日： | 2022-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114023709B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 许冰;来晋明;陆吟泉;王天石;徐榕青;向伟玮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/14 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 陈法君 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于大功率裸芯片散热的复合式衬底结构，所述复合式衬底结构包括第一衬底和金刚石铜衬底，其中，所述第一衬底上设有第一装配腔槽和第二装配腔槽，所述第二装配腔槽围绕所述第一装配腔槽设置，且所述第一装配腔槽的深度大于所述第二装配腔槽设置；其中，金刚石铜衬底安装于第一装配腔槽内，待散热的芯片设置于所述金刚石铜衬底上方；所述芯片的外围电路装配固定于第二装配腔槽内，且芯片顶面高度与外围电路顶面高度相同。本发明的复合式衬底结构，结合了金刚石铜衬底超强的散热能力以及其他衬底良好的机加工特性，较好的满足了微波功率组件中的大功率芯片使用的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 大功率 芯片 散热 复合 衬底 结构 | ||
【主权项】：
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