[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202180050124.9 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN116097274A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 松崎隆德;大贯达也;上妻宗广;青木健;冈本佑树;池田隆之 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G06F7/544 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;陈岚 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种新颖的结构的半导体装置。该半导体装置包括数字运算器、模拟运算器、第一存储电路、第二存储电路，其中，模拟运算器、第一存储电路及第二存储电路分别包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管，第一存储电路具有将第一权重数据作为数字数据供应到数字运算器的功能，数字运算器具有使用第一权重数据进行积和运算的功能，第二存储电路具有将第二权重数据作为模拟数据供应到模拟运算器的功能，模拟运算器具有使用第二权重数据进行积和运算的功能，在模拟运算器及第二存储电路所包括的在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管中的至少一个中，源极‑漏极间流过的电流量为在该晶体管在亚阈值区域工作时流过的电流量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180050124.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于重复缺陷检测的无监督学习
- 下一篇：卡匣固持件
