[发明专利]具有缓冲层的半导体器件在审
| 申请号： | 202180021470.4 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115280489A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | H.S.赵;S.K.穆尼拉提南 | 申请（专利权）人： | PEP创新私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张晓明 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种晶圆级缓冲层。所述晶圆级缓冲层被配置为防止在晶圆切割过程中后段(BEOL)电介质产生碎裂。晶圆级缓冲层是一种具有减振剂的复合晶圆级缓冲层。所述减振剂包括具有填料的聚合物基底层。所述阻尼剂在切割过程中吸收或抑制锯条的振动，用于防止后段(BEOL)电介质产生碎裂。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓冲 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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