[发明专利]用于防止IC半导体衬底中的衬底电流的设备和方法在审
| 申请号： | 202180020900.0 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115280499A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 菲克雷特·阿巴扎;安德烈·苏丹斯;尤韦·弗里曼;安德烈亚斯·弗里森;马茨·施马尔霍斯特;马可·利特克 | 申请（专利权）人： | 艾尔默斯半导体欧洲股份公司;现代摩比斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04;H03K17/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 德国多*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及用于防止衬底电流注入CMOS电路的衬底Sub的各种设备和方法。为此，这些设备以不同的方式实现用于防止这种注入的方法。所述设备检测集成CMOS电路的触点(PDH，PDL)的电位，将检测到的电位值与参考值进行比较，并将触点(PDH，PDL)连接到用于导出电流的导出电路节点(ABK)，从而该电流不流过寄生双极横向结构，即不在衬底中流动。例如，导出电路节点可以连接到基准电位线路(GND)或具有比基准电位线路(GND)的电位更高的电位的其他线路。当触点(PDH，PDL)的电位值小于或等于参考值时，激活或启动该电连接，其中该参考值小于衬底Sub的电位值和/或小于基准电位线路(GND)或上述其他线路的电位值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 防止 ic 半导体 衬底 中的 电流 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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