[发明专利]具有双面阶梯式表面的三维存储器器件及其制造方法

摘要

存储器裸片可以包括：位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替叠堆，以及竖直延伸穿过该交替叠堆的存储器堆叠结构。该交替叠堆内的第一层叠堆包括第一阶梯区域，其中第一导电层具有随着距该衬底的竖直距离而增加的相应横向范围，以提供第一阶梯式表面。该交替叠堆内的第二层堆叠包括第二阶梯区域，其中第二导电层具有随着距该衬底的该竖直距离而减小的相应横向范围，以提供第二阶梯式表面。该第二层堆叠可以比该第一层堆叠距该衬底更远。接触通孔结构可以由该交替叠堆的顶侧和底侧形成。