[发明专利]集成半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202180004425.8 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN114127914B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 曹凯;张建平;张雷;姚卫刚;周春华 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/085;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成半导体器件包含衬底、半导体电路层、第一绝缘层、第二绝缘层和互连层。半导体电路层配置在衬底上方。半导体电路层具有器件部分和隔离部分，且隔离部分位于器件部分之间。第一绝缘层配置在半导体电路层上，且第二绝缘层配置在第一绝缘层上，且互连层配置在半导体电路层上。互连层穿透第一绝缘层和第二绝缘层以电连接半导体电路层的器件部分。第二绝缘层或第一绝缘层和第二绝缘层共同地在半导体电路层的隔离部分上方形成一或多个隔离结构。互连层具有位于器件部分上方的多个第一电路。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司，未经英诺赛科（苏州）半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180004425.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涂饰设备
- 下一篇：用于控制GaN基装置的控制器以及用于实施所述控制器的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
