[发明专利]集成半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成半导体器件，其特征在于，其包括：

衬底；

多个半导体电路层，其配置在所述衬底上方且具有多个器件部分和位于所述器件部分之间的一或多个隔离部分，所述隔离部分在相邻所述器件部分之间提供电隔离；

第一绝缘层，其配置在所述半导体电路层上；

第二绝缘层，其配置在所述第一绝缘层上；以及

互连层，其配置在所述半导体电路层上且穿透所述第一绝缘层和所述第二绝缘层以电连接所述器件部分；

其中所述半导体电路层中的一些形成至少一个异质结，且所述第二绝缘层或所述第一绝缘层和所述第二绝缘层共同地在所述半导体电路层的每一隔离部分上方形成一或多个沟槽，且所述互连层具有位于所述器件部分上方的多个第一电路；

其中所述沟槽的宽度朝向所述第一绝缘层中的所述沟槽的底部部分减小；或，

所述沟槽的宽度朝向所述第一绝缘层中的所述沟槽的底部部分增加；或，

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层共同地在所述隔离部分上方形成阶梯形侧壁，且所述第一绝缘层中的所述沟槽的宽度小于所述第二绝缘层中的所述沟槽的宽度。

2.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中每一沟槽包含侧壁，且所述沟槽的所述侧壁具有连续轮廓。

3.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述隔离部分中的至少一个从所述沟槽中的对应一个暴露。

4.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述第一绝缘层形成所述沟槽的底部部分。

5.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述第一电路具有在所述第一绝缘层内的第一部分和在所述第二绝缘层内且比所述第一部分宽的第二部分，且所述第一电路与所述第二绝缘层之间的界面与所述第二绝缘层中的所述沟槽的侧壁平行。

6.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其进一步包括：

保护层；以及

多个导电衬垫，其配置在所述第二绝缘层和具有所述保护层的所述互连层上，

其中所述保护层和所述第二绝缘层或所述保护层以及所述第一绝缘层和所述第二绝缘层共同地在所述隔离部分上方形成所述沟槽。

7.根据权利要求6所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述第二绝缘层形成所述沟槽的底部部分。

8.根据权利要求6所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述保护层和所述第二绝缘层在每一隔离部分上方形成多个柱。

9.根据权利要求6所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述导电衬垫中的两个和其间的所述沟槽在所述衬底的载体表面上的投影具有对准的顶侧和底侧。

10.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述沟槽具有沿着所述衬底的载体表面的法向量观看的矩形形状。

11.根据权利要求1所述的集成半导体器件，其特征在于，其中所述半导体电路层的材料包含III-V半导体，且形成所述异质结的所述半导体电路层的材料包含氮化镓。

12.一种半导体设备，其特征在于，其包括：

至少一个根据权利要求1所述的集成半导体器件；以及

电路板，其电连接所述集成半导体器件且包括：

绝缘板，其具有多个孔；以及

多个通孔，其分别配置在所述孔中，

其中所述电路板通过所述通孔电连接所述集成半导体器件的第一电路。

13.根据权利要求12所述的半导体设备，其特征在于，其中所述电路板的所述绝缘板包括对应于所述集成半导体器件的半导体电路层的隔离部分的一或多个隔离结构。