[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202180003702.3 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114175232A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张权;姚兰;周璐 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 孟霞 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底；在衬底中形成位于第一区域的第一浅沟槽隔离结构以及位于第二区域的至少两个第二浅沟槽隔离结构；形成第二掩膜层；依次刻蚀位于第二区域的第二掩膜层以及至少两个第二浅沟槽隔离结构，以于相邻两个第二浅沟槽隔离结构之间形成半导体突起。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
