[发明专利]微发光元件、微发光二极管及其转印方法在审
| 申请号： | 202180001719.5 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN115485864A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王彦钦;陈劲华;郭桓邵;李水清;黄少华;彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L21/77;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开微发光元件，微发光二极管及其转印方法，其中微发光元件包括：若干个微发光二极管，微发光二极管包括：半导体外延叠层，所述半导体外延叠层包含第一类型半导体层、第二类型半导体层和两者之间的有源层；第一台面，由半导体外延叠层凹陷露出的第一类型半导体层构成，第二台面，由第二类型半导体层构成；绝缘介质层，位于所述半导体外延叠层的第一台面和第二台面上；基架，位于所述微发光二极管下方，支撑所述微发光二极管；桥臂，用于连接微发光二极管和基架，所述微发光二极管搭接在两侧桥臂之间；其特征在于：所述桥臂的厚度小于所述第一台面上的绝缘介质层的厚度。本发明通过桥臂厚度和形状的设计，可提升微发光二极管的转移良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 发光二极管 及其 方法 | ||
【主权项】：
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