[实用新型]一种腐蚀后碳化硅晶片微管缺陷检测装置有效

专利信息
申请号: 202122967549.6 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN216622212U 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 李有群;卓世异;贺贤汉;周国栋;孙大方 申请(专利权)人: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01N21/01
代理公司: 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 代理人: 李坤
地址: 244000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型涉及碳化硅晶片技术领域,具体为一种腐蚀后碳化硅晶片微管缺陷检测装置,包括底座和固定安装在底座顶部一侧的检测箱,还包括检修机构、调节支撑机构、光源调节机构、旋转检测机构和角度调节机构,所述检修机构固定安装在检测箱内壁两侧,本实用新型通过设置有调节支撑机构和旋转检测机构,拉动抽板使抽板带动滑轮在滑轨内部移动抽出,从而带动电动升降套杆移动抽出,可以更加便捷的对晶片进行放置,工作人员无需将手伸入检测箱内部,使晶片的放置更加的稳定,避免晶片位置偏移,影响检查的效果,再推动防滑垫使防滑垫带动底部的活动钩与活动块两侧相接触,持续推动使活动钩两侧向内折叠,直至通过活动块,活动钩再进行回弹。
搜索关键词: 一种 腐蚀 碳化硅 晶片 微管 缺陷 检测 装置
【主权项】:
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