[实用新型]用于半导体化合物单晶生长的生长设备有效
| 申请号： | 202122318349.8 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN215560799U | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 司志伟;刘宗亮;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B19/02 | 分类号： | C30B19/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于半导体化合物单晶生长的生长设备。所述生长设备包括：生长装置以及电压施加装置，所述电压施加装置包括第一电极和第二电极，至少所述第一电极的局部套设在所述第二电极内，至少所述第一电极和第二电极的局部设置在所述生长装置内，当所述第一电极与第二电极接入电源后，所述第一电极和第二电极能够对所述生长装置内的熔融态生长原料施加电压，所述电压能够驱使所述熔融态生长原料流动和/或降低所述熔融态生长原料的表面能。本实用新型实施例提供的一种用于半导体化合物单晶生长的生长设备，采用圆筒式和圆柱式的电极配合，能够有效提高施加电压的均匀性，改善原料的混合一致性，从而进一步提高单晶生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 化合物 生长 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202122318349.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：结算装置和诊间结算系统
- 下一篇：一种环保型医疗垃圾处理用废水处理装置
- 同类专利
- III族元素氮化物半导体基板-202280008311.5
- 今井克宏;杉山智彦 - 日本碍子株式会社
- 2022-02-09 - 2023-09-19 - C30B19/02
- 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其即便在偏离取向具有偏差的情况下，外延生长时的结晶生长的行为变化也较小，不易产生面内的形貌紊乱、或特性偏差。本发明的一个实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面，该III族元素氮化物半导体基板的特征在于，c面相对于该第一面的取向而倾斜，该倾斜的方向进入于＜1‑100＞方向与＜11‑20＞方向之间。
- 氮化镓体单晶及其生长方法-202011458817.5
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2020-12-11 - 2023-08-18 - C30B19/02
- 本发明公开了一种氮化镓体单晶及其生长方法。所述生长方法包括：在以助熔剂法生长氮化镓体单晶的过程中，在氮化镓体单晶与籽晶的界面处形成孔洞结构，使生长形成的氮化镓体单晶与籽晶之间形成弱连接；以及破坏所述弱连接，使氮化镓体单晶与籽晶分离。本发明实施例提供的可实现籽晶重复利用的氮化镓体单晶的生长方法，利用助熔剂法进行氮化镓体单晶的同质外延，并利用孔洞辅助的方式进行氮化镓体单晶与籽晶的分离，在实现籽晶的循环利用的同时，降低了籽晶和氮化镓体单晶的分离难度，进而降低助熔剂氮化镓的生长成本。
- 温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统-202111576280.7
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-12-22 - 2023-06-27 - C30B19/02
- 本发明公开了一种温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统。所述生长系统包括：助熔剂法氮化物单晶生长设备和升降机构，所述助熔剂法氮化物单晶生长设备包括可供氮化物单晶生长的生长腔室以及设置在所述生长腔室内的反应容器、第一加热机构和第二加热机构，所述第一加热机构至少用于在所述反应容器内部的第一区域形成第一温区，所述第二加热机构至少用于在所述反应容器内部的第二区域形成第二温区；所述升降机构与所述第一加热机构和第二加热机构中的至少一者传动连接。本发明实施例提供的一种生长系统，温度场随着熔液下降而降低，从而可以保障氮化物单晶的持续高速度生长，且使氮化物单晶的质量均一性更好。
- 促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置-202111576463.9
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-12-22 - 2023-06-27 - C30B19/02
- 本发明公开了一种促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置。所述半导体晶体生长装置包括：生长腔室、设置于生长腔室内的反应容器和原料补充容器；所述反应容器用于承载晶体生长所需的籽晶和/或衬底以及容置晶体生长所需的生长原料；升降机构，所述升降机构与所述反应容器和/或原料补充容器传动连接，并至少用于驱使所述反应容器和/或原料补充容器沿预定方向运动，所述反应容器能够相对运动至所述原料补充容器内并与所述原料补充容器相连通。本实施例提供的一种半导体晶体生长装置，可以持续向反应容器中补充相同组分配比的生长原料，保持反应容器中的生长原料化学组分恒定，提高单晶生长质量的片内均匀性。
- 助熔剂法生长微结构氮化镓的方法及其应用-202111416932.0
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-11-26 - 2023-05-30 - C30B19/02
- 本发明公开了一种助熔剂法生长微结构氮化镓的方法及其应用。所述助熔剂法生长微结构氮化镓的方法包括：在以助熔剂法液相外延生长氮化镓时，调节生长原料中金属钠与金属镓的质量比为1.5：1‑5：1，以生长形成锥形或锥台形的锥形或锥台形的氮化镓。本发明实施例提供的一种氮化镓器件的制备方法，能够避免量子斯塔克效应并提升LED的发光效率；以及，本发明实施例提供的一种氮化镓器件的制备方法，实现了氮化镓基LED器件的高效率、低成本制备。
- III族元素氮化物半导体基板-202180054550.X
- 野中健太朗;平尾崇行;今井克宏 - 日本碍子株式会社
- 2021-07-01 - 2023-05-05 - C30B19/02
- 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的大口径的III族元素氮化物半导体基板，尽管是大口径，第一面内的品质的偏差也得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，直径为100mm以上，基于该第一面的整个区域的范围的利用光致发光测定得到的光致发光光谱得到的、该第一面的整个区域的88％以上的范围内的黄色发光强度的变异系数为0.3以下。
- 温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统-202123235797.8
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-12-22 - 2022-04-26 - C30B19/02
- 本实用新型公开了一种温场下降的高质量氮化物单晶的生长系统。所述生长系统包括：助熔剂法氮化物单晶生长设备和升降机构，所述助熔剂法氮化物单晶生长设备包括可供氮化物单晶生长的生长腔室以及设置在所述生长腔室内的反应容器、第一加热机构和第二加热机构，所述第一加热机构至少用于在所述反应容器内部的第一区域形成第一温区，所述第二加热机构至少用于在所述反应容器内部的第二区域形成第二温区；所述升降机构与所述第一加热机构和第二加热机构中的至少一者传动连接。本实用新型实施例提供的一种生长系统，温度场随着熔液下降而降低，从而可以保障氮化物单晶的持续高速度生长，且使氮化物单晶的质量均一性更好。
- 促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置-202123236303.8
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-12-22 - 2022-04-26 - C30B19/02
- 本实用新型公开了一种促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置。所述半导体晶体生长装置包括：生长腔室、设置于生长腔室内的反应容器和原料补充容器；所述反应容器用于承载晶体生长所需的籽晶和/或衬底以及容置晶体生长所需的生长原料；升降机构，所述升降机构与所述反应容器和/或原料补充容器传动连接，并至少用于驱使所述反应容器和/或原料补充容器沿预定方向运动，所述反应容器能够相对运动至所述原料补充容器内并与所述原料补充容器相连通。本实施例提供的一种半导体晶体生长装置，可以持续向反应容器中补充相同组分配比的生长原料，保持反应容器中的生长原料化学组分恒定，提高单晶生长质量的片内均匀性。
- 非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法-201910038242.2
- 刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2019-01-14 - 2022-04-19 - C30B19/02
- 本发明公开了一种助熔剂法生长非极性/半极性氮化镓单晶的方法，包括：沿选定的解理面对氮化镓晶片进行解理，并将所获氮化镓晶片排列成阵列，获得解理面氮化镓单晶阵列；以所述解理面氮化镓单晶阵列作为籽晶，利用助熔剂法液相外延合并生长获得沿解理面的非极性/半极性氮化镓单晶。较之现有技术，本发明在助熔剂法液相外延生长氮化镓过程中，利用质量均匀的作为籽晶的非极性/半极性氮化镓单晶阵列，通过液相外延合并生长，获得较高质量的非极性/半极性氮化镓单晶，进一步采用该氮化镓单晶进行液相外延，可获得非极性/半极性的氮化镓体单晶。
- 提升氮源溶解度的半导体晶体的生长系统-202122274600.5
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-09-18 - 2022-02-11 - C30B19/02
- 本实用新型公开了一种提升氮源溶解度的半导体晶体的生长系统。所述系统包括助熔剂法半导体晶体生长设备，以及，所述的系统还包括N等离子体发生器，所述的N等离子体发生器至少用于：对所述半导体晶体生长所需的籽晶和/或衬底进行N等离子体处理，以使所述籽晶和/或衬底表面产生缺陷位点；和/或，提供N等离子体作为所述半导体晶体生长所需的氮源。本实用新型提供的一种提升氮源溶解度的半导体晶体的生长系统，采用氮等离子体发生器产生氮等离子体，然后利用氮等离子体处理籽晶/衬底，并且利用氮等离子体发生器产生氮等离子体作为氮源，从而能够同时提升半导体晶体的生长均匀性以及晶体生长质量。
- 用于半导体化合物单晶生长的生长设备-202122318349.8
- 司志伟;刘宗亮;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-09-24 - 2022-01-18 - C30B19/02
- 本实用新型公开了一种用于半导体化合物单晶生长的生长设备。所述生长设备包括：生长装置以及电压施加装置，所述电压施加装置包括第一电极和第二电极，至少所述第一电极的局部套设在所述第二电极内，至少所述第一电极和第二电极的局部设置在所述生长装置内，当所述第一电极与第二电极接入电源后，所述第一电极和第二电极能够对所述生长装置内的熔融态生长原料施加电压，所述电压能够驱使所述熔融态生长原料流动和/或降低所述熔融态生长原料的表面能。本实用新型实施例提供的一种用于半导体化合物单晶生长的生长设备，采用圆筒式和圆柱式的电极配合，能够有效提高施加电压的均匀性，改善原料的混合一致性，从而进一步提高单晶生长质量。
- 用于制造III族氮化物半导体的方法-201710786253.X
- 守山实希;山崎史郎;药师康英 - 丰田合成株式会社
- 2017-09-04 - 2020-09-25 - C30B19/02
- 本发明公开了用于制造III族氮化物半导体的方法。为了减少在通过助熔剂法生长III族氮化物半导体中的未生长区域或异常晶粒生长区域。籽晶基底具有III族氮化物半导体层形成在作为基底的底层基底上并且在III族氮化物半导体层上形成有掩模的结构。所述掩模具有以等边三角形格子图案的多个点状窗口。通过助熔剂法在籽晶基底上生长III族氮化物半导体。将碳设置在保持籽晶基底和熔融混合物的坩埚的盖上使得在晶体生长开始时碳与熔融混合物不接触，因此，随着时间的推移，将碳逐渐加入至熔融混合物中。因此，在籽晶基底上生长的III族氮化物半导体晶体中未生长区域或异常晶粒生长区域减少。
- 一种具有多层次结构金属有机框架纳米晶体及制备方法-201710121565.9
- 董育斌;付齐娟;姚丙建;李江涛 - 山东师范大学
- 2017-03-02 - 2019-02-19 - C30B19/02
- 本发明公开了一种具有多层次结构金属有机框架纳米晶体及制备方法。(1)以第一金属有机框架晶体颗粒作为乳化剂，制备出水包油型皮克林乳液，冷却至固体石蜡的熔点以下，获得第一石蜡微球；(2)采用马来酸酐或甲基丙烯酸酐对第一石蜡微球进行反应修饰，获得第二石蜡微球，第二石蜡微球固定第二金属有机框架；(3)在第二金属有机框架含有羧基的侧链基团的表面异质外延生长第三金属有机框架，或加入巯基化合物进行巯基‑烯点击反应，从而获得具有多层次结构金属有机框架纳米晶体。本发明制备的具有多层次结构金属有机框架纳米晶体的表面结构和性质具有各向异性，能够应用于催化、金属表面MOFs膜制备及油水分离等领域中，应用广泛。
- 13族元素氮化物膜及其叠层体-201810254199.9
- 岩井真;平尾崇行;吉野隆史 - 日本碍子株式会社
- 2012-08-09 - 2018-08-21 - C30B19/02
- 在晶种基板(11)上，通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液，于含氮氛围下育成13族元素氮化物(3)。13族元素氮化物膜(3)含有夹杂物分布层(3a)和夹杂物缺乏层(3b)，所述夹杂物分布层(3a)被设置于自晶种基板(11)侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的构成成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层(3b)被设置于该夹杂物分布层(3a)上。
- 助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法-201610633144.X
- 刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司
- 2016-08-04 - 2018-02-13 - C30B19/02
- 本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶体系中促进籽晶液相外延的方法，其包括在以助熔剂法生长氮化镓单晶的过程中，于氮化镓单晶的生长体系内添加碳添加剂，所述碳添加剂包括氮化后的碳材料。较之现有技术，本发明方法通过在助熔剂法生长氮化镓单晶的体系内添加氮化后的碳材料作为添加剂，可以有效抑制氮化镓多晶的形成，促进氮化镓籽晶液相外延生长，并有效降低氮化镓籽晶生长前期的籽晶回溶。
- 一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法-201510295832.5
- 王洋;胡淑红;吕英飞;戴宁 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2015-06-02 - 2017-06-27 - C30B19/02
- 本发明公开了一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法。本方法具体步骤如下第一步，熔源的称量，第二步，熔源的两次高温熔融，第三步生长。本方法特征在于Sb组分并非按照相图配制。本发明的优点在于可以在低温下获得GaAs1‑xSbx变组分薄膜，且制备工艺简单，工艺成本低，晶体质量高。
- III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶及半导体装置-201380005328.6
- 森勇介;今出完;吉村政志;平尾美帆子;今西正幸 - 国立大学法人大阪大学
- 2013-01-10 - 2014-09-10 - C30B19/02
- 本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。
- 通过横向扩散液相外延的半导体形成-201280021237.7
- A·基泰;于豪灵;李博 - 麦克马斯特大学
- 2012-05-17 - 2014-04-30 - C30B19/02
- 本发明涉及通过横向扩散液相外延来生长半导体材料的方法，该方法包括以下步骤：提供具有晶体结构的单晶半导体基片，其中该基片的至少一部分被掩模层覆盖，该掩模层具有至少一个用于在所述基片上产生种子线的开口；放置具有防止半导体生长的表面条件的板，使其与所述种子线基本重叠，其中所述板与所述基片分开一定距离；使用生长液包围所述板和所述基片，该生长液包含处于至少一种熔融金属中的半导体的饱和溶液；将所述板和所述基片放入加热至一定温度的炉；和降低炉的温度，以促进饱和溶液中的半导体沉淀并引发半导体在所述基片上沿种子线外延生长，其中所述板起到限制沿垂直方向的外延生长的作用。
- 化合物单晶的制造方法和用于该制造方法的制造装置-200580005394.9
- 森勇介;北冈康夫;峯本尚;木户口勲;高桥康仁;佐佐木孝友;川村史朗 - 松下电器产业株式会社;森勇介
- 2005-02-18 - 2007-02-28 - C30B19/02
- 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
- 专利分类
