[实用新型]高功率密度的半导体器件有效
| 申请号： | 202122304551.5 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN215933591U | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 何洪运;朱建平 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/49;H01L25/07 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高功率密度的半导体器件，包括：包覆于环氧封装体内的第一芯片基板、第二芯片基板和一端自环氧封装体中伸出的第一引脚、第二引脚，所述第一芯片基板包括用于与至少两颗芯片连接的第一支撑区和垂直于第一支撑区一端的第一引线区，所述第二芯片基板包括与第一支撑区平行间隔设置的第二支撑区和垂直于第二支撑区一端并位于第一支撑区远离第一引线区一端外侧的第二引线区，所述第二引线区靠近第二支撑区的一端具有一向下的第一折弯部，从而在第一折弯部两侧形成上水平部和下水平部。本实用新型不会发生因间距不足导致的相邻芯片之间、芯片与其他芯片基板之间碰撞引起的产品失效问题，提高了整体的加工良率和产品的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率密度 半导体器件 | ||
【主权项】：
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