[实用新型]一种VDMOS芯片及其电路应用结构有效
| 申请号： | 202122088554.X | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN215896409U | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨正友;任炜强;谢文华 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552;H03K17/687;H03K7/08 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 朱鹏程 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种VDMOS芯片及其电路应用结构，包括半导体基座，半导体基座分为源区、漂移区和基体区，源区上贯穿设置有沟槽，且沟槽贯穿漂移区并延伸到基体区中，源区和基体区极性相同，源区和漂移区极性相反；基体区远离漂移区的一侧设置有漏极金属层，源区远离漂移区的一侧设置有源极金属层；沟槽内设置有栅极金属层，栅极金属层与沟槽内壁之间设置有绝缘层；栅极金属层上设置有屏蔽层，屏蔽层的两端分别延伸至沟槽两侧的源区上；栅极金属层上设置有栅极引出线，栅极引出线穿设在屏蔽层上且端部位于屏蔽层外。本申请具有消除VDMOS芯片内部高速开关引起的高频谐振从沟槽中辐射至外界，减小对外围电路的电磁干扰的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 芯片 及其 电路 应用 结构 | ||
【主权项】：
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