[实用新型]一种VDMOS芯片及其电路应用结构

权利要求书

1.一种VDMOS芯片，其特征在于：包括半导体基座(1)，所述半导体基座(1)分为源区(11)、漂移区(12)和基体区(13)，所述源区(11)中贯穿设置有沟槽(111)，且所述沟槽(111)贯穿所述漂移区(12)并延伸到所述基体区(13)中，所述源区(11)和所述基体区(13)极性相同，所述源区(11)和所述漂移区(12)极性相反；所述基体区(13)远离所述漂移区(12)的一侧设置有漏极金属层(14)，所述源区(11)远离所述漂移区(12)的一侧设置有源极金属层(15)；所述沟槽(111)内设置有栅极金属层(16)，所述栅极金属层(16)与所述沟槽(111)内壁之间设置有绝缘层(17)；所述栅极金属层(16)上设置有屏蔽层(18)，所述屏蔽层(18)的两端分别延伸至所述沟槽(111)两侧的源区(11)上；所述栅极金属层(16)上设置有栅极引出线(161)，所述栅极引出线(161)穿设在所述屏蔽层(18)上且端部位于所述屏蔽层(18)外。

2.根据权利要求1所述的VDMOS芯片，其特征在于：所述基体区(13)包括衬底层(131)和外延层(132)，所述外延层(132)设置在所述衬底层(131)和所述漂移区(12)之间，所述沟槽(111)延伸至所述外延层(132)。

3.根据权利要求1所述的VDMOS芯片，其特征在于：所述源区(11)远离所述沟槽(111)的一侧设置有截止区(19)，且所述截止区(19)与所述漂移区(12)相通。

4.根据权利要求3所述的VDMOS芯片，其特征在于：所述源区(11)极性为N型，所述漂移区(12)和所述截止区(19)极性为P型。

5.一种VDMOS电路应用结构，其特征在于：包括如权利要求1-4任一所述的VDMOS芯片，包括信号控制单元(2)、变压储能单元(3)和滤波单元(4)；所述变压储能单元(3)包括两个输出端，所述VDMOS芯片连于任意一个输出端上；所述滤波单元(4)连于所述VDMOS芯片的另一端和所述变压储能单元(3)的另一个输出端之间。

6.根据权利要求5所述的VDMOS电路应用结构，其特征在于：所述VDMOS芯片的源极和漏极之间并联有RC吸收单元(5)，所述RC吸收单元(5)包括缓冲电阻R2和缓冲电容C2，所述缓冲电阻R2和所述缓冲电容C2串联。

7.根据权利要求5所述的VDMOS电路应用结构，其特征在于：所述信号控制单元(2)包括信号发生器U1和运算放大器U2，所述信号发生器U1连于所述运算放大器U2的同相输入端，所述运算放大器U2的反相输入端和所述运算放大器U2的输出端之间依次串联有反馈电容C3和反馈电阻R3，所述运算放大器U2的输出端连于所述VDMOS芯片的栅极以用于控制所述VDMOS芯片的开启或关闭。

8.根据权利要求5所述的VDMOS电路应用结构，其特征在于：所述滤波单元(4)包括滤波电阻R1和滤波电容C1，所述滤波电阻R1和滤波电容C1并联。