[实用新型]一种硅片翻转缓存机构有效
申请号: | 202121576313.3 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN215869430U | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 林佳继;周欢;时祥;刘世玉 | 申请(专利权)人: | 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅片翻转缓存机构,包括升降装置、翻转装置和缓存装置,缓存装置用于缓存硅片,升降装置控制缓存装置升降,翻转装置控制缓存装置翻转,本实用新型通过DD马达将缓存装置进行翻转,使硅片处于近似竖直状态,在硅片处于近似竖直状态下取片,减少对硅片的划伤以及碎片,保证设备的合格率,本实用新型设计硅片调整组件对缓存槽内的硅片进行调整,将硅片的左右位置调整一致,提高取片的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 翻转 缓存 机构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的