[实用新型]一种二氧化硅湿法刻蚀台有效
| 申请号： | 202121407075.3 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN215680635U | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 耿彪 | 申请（专利权）人： | 北京华林嘉业科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 闫露露 |
| 地址： | 101100 北京市通州*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及湿法刻蚀台技术领域，具体为一种二氧化硅湿法刻蚀台，包括刻蚀台、运料机构、下运输带与放料箱；所述的刻蚀台一端连接有运料机构，所述的运料机构包括下运输带、矩形板与上运输带，所述的下运输带与所述的上运输带均安装设置在所述的运料机构内部，所述的上运输带位于所述的下运输带上部，所述的矩形板安装设置在所述的运料机构下端，所述的放料箱为单独的一个个体，本实用新型通过设置的第一棱条、固定块、安装槽与第二棱条，第一棱条与第二棱条配合增大摩擦力，固定块卡进安装槽内固定住放料箱，从而有效地防止材料在运输中产生碰撞。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 湿法 刻蚀 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
