[实用新型]硅片负压顶升装置及硅片检测分选设备有效
| 申请号： | 202120969842.3 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN214705892U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 曹葵康;孙靖;钱春辉;顾烨;孙俊;苏傲;胡辉来;程璧;张体瑞;温延培 | 申请（专利权）人： | 苏州天准科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 马振华 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种硅片负压顶升装置及硅片检测分选设备，其中，硅片负压顶升装置包括：负压吸附机构以及顶升机构；负压吸附机构包括：吸盘以及负压发生组件，吸盘的工作面上开设有吸孔和/或吸槽，负压发生组件与吸盘相连接，并能够在吸孔和/或吸槽处产生负压；顶升机构设置于负压吸附机构下方，其包括：驱动单元以及顶升组件，驱动单元与顶升组件传动连接，顶升组件与负压吸附机构传动连接，并能够带动负压吸附机构进行升降运动。本实用新型通过设置负压吸附机构，使得硅片在顶升过程中，能够与传送带保持贴合，进而保证了后续硅片在输送至收纳盒的过程中，不会与输送流线分离，克服了现有技术中硅片之间容易发生碰撞的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 压顶 装置 检测 分选 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州天准科技股份有限公司，未经苏州天准科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120969842.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无缝钢管高效冷拔设备
- 下一篇：一种耳机接口防水结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
