[实用新型]一种用于半导体工艺设备的缓冲式电极插拔结构及设备有效
| 申请号: | 202120874352.5 | 申请日: | 2021-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN215451900U | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
| 发明(设计)人: | 刘东 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01R13/629 | 分类号: | H01R13/629;H01R13/66;H01R13/187;H01R13/04 |
| 代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 一种用于半导体工艺设备的缓冲式电极插拔结构及设备,包括插头和插头座;其中,插头座面向插头的一面设置有多个插孔,插头座背离插头的一面设置有缓冲结构;插头面向插头座的一面设置有多个与插孔一一对应的插针;缓冲结构用于在插针插接或拔出于插孔的过程中,缓冲插头与插头座之间的冲击力。本实用新型涉及的用于半导体工艺设备的缓冲式电极插拔结构,通过缓冲结构在插针插接或拔出插孔过程中,缓冲插头与插头座之间的冲击力,避免插头与插头座未对准时插头受压被顶至变形的情况,延长使用寿命,降低设备故障率,提高设备稳定性,从而提高设备产能。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 用于 半导体 工艺设备 缓冲 电极 结构 设备 | ||
【主权项】:
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