[实用新型]一种晶体生长炉有效
| 申请号： | 202120747853.7 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN214694465U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶体生长炉，所述晶体生长炉包括炉体以及设于所述炉体内部的坩埚、加热器、导流筒、支撑板和导向环，所述加热器用于对所述坩埚进行加热；所述导流筒、所述支撑板均位于所述坩埚的上方；所述炉体上设有与所述导流筒相连的升降装置，所述升降装置能够带动所述导流筒靠近和远离所述支撑板，当所述导流筒靠近所述支撑板时，所述导流筒的顶部能够搭设在所述支撑板上；所述导向环与所述支撑板的顶部相连，且沿所述导流筒的外周周向设置。本实用新型提供的晶体生长炉能够有效防止含有硅氧化物的氩气进入到炉体顶腔的空间，而在炉体顶腔内壁和/或导流筒内壁上沉积生成颗粒物，避免了该颗粒物掉落至硅液内导致晶体生长失败的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202120747853.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双基材可定型网格双面胶带
- 下一篇：一种LED智能互动情景灯光控制器
