[实用新型]一种晶体生长炉有效
| 申请号： | 202120747853.7 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN214694465U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 沈伟民 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 | ||
1.一种晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长炉包括炉体以及设于所述炉体内部的坩埚、加热器、导流筒、支撑板和导向环，所述加热器用于对所述坩埚内的硅料或硅液进行加热；
所述导流筒、所述支撑板均位于所述坩埚的上方；
所述炉体上设有与所述导流筒相连的升降装置，所述升降装置能够带动所述导流筒靠近和远离所述支撑板，当所述导流筒靠近所述支撑板时，所述导流筒的顶部能够搭设在所述支撑板上；
所述导向环与所述支撑板的顶部相连，且沿所述导流筒的外周周向设置。
2.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述加热器沿所述坩埚的外周周向设置。
3.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述晶体生长炉还包括设于所述炉体底部的排气口。
4.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述导向环和所述导流筒之间设有用于供导流筒上下移动的间隙。
5.根据权利要求4所述的晶体生长炉，其特征在于，所述导向环和所述导流筒之间的间隙为1～2mm。
6.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述导向环的高度为50～300mm。
7.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述导向环的材质为高纯石墨或经过纯化处理的碳-碳纤维。
8.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述导流筒远离所述坩埚一端的内径大于所述导流筒靠近所述坩埚一端的内径。
9.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述导流筒的顶部沿其周向设有向外延伸的边沿部，所述升降装置与所述边沿部相连。
10.根据权利要求1所述的晶体生长炉，其特征在于，所述炉体内还设有用于固定所述支撑板的固定件，所述支撑板与所述固定件的顶部相连，所述固定件围绕所述坩埚的外周设置。
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