[实用新型]N-TOPCon太阳能电池中制备双面氧化硅的设备有效
| 申请号: | 202120616733.3 | 申请日: | 2021-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN214655235U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | 杜哲仁;崔义乾;陈嘉;黄健;乔振聪;刘荣林 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/40;C23C16/52;C23C14/16;C23C14/35;C23C16/24;C23C14/58;C23C16/56;C23C28/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 徐李娜;邓俊勇 |
| 地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型涉及一种N‑TOPCon太阳能电池中制备双面氧化硅的设备,包括填充有工艺气体的氧化硅工艺腔,该氧化硅工艺腔中的载板的上方安装有第一离子源,所述第一离子源用于在载板上的N型硅的正面产生氧离子,产生的氧离子和硅片正表面进行反应形成氧化硅;氧化硅工艺腔中的下方安装有第二离子源,所述第二离子源用于在第一离子源工作时同步在N型硅的背面产生氧离子。本实用新型在保证洁净度的同时,减少工序,解决N‑TOPCon工序多的问题,增强N‑TOPCon的核心竞争力。 | ||
| 搜索关键词: | topcon 太阳能电池 制备 双面 氧化 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州中来光电科技有限公司,未经泰州中来光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202120616733.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于合成革加工的揉纹机
- 下一篇:一种厨余垃圾小型就地资源化装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





