[实用新型]N-TOPCon太阳能电池中制备双面氧化硅的设备

权利要求书

1.N-TOPCon太阳能电池中制备双面氧化硅的设备，包括填充有工艺气体的氧化硅工艺腔，该氧化硅工艺腔中的载板的上方安装有第一离子源，所述第一离子源用于在载板上的N型硅的正面产生氧离子，其特征在于，氧化硅工艺腔中的载板的下方安装有第二离子源，所述第二离子源用于在第一离子源工作时同步在N型硅的背面产生氧离子。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，载板用于放置N型硅的位置镂空处理以使N型硅得以两面同时镀膜。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一离子源朝下对准N型硅的正面以在该正面上制备氧化硅薄膜，所述第二离子源朝上对准N型硅的背面以在该正面上制备隧穿氧化层。

4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第一离子源的功率控制在使氧化硅薄膜的厚度为0.3-3nm，和/或所述第二离子源的功率控制在使隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述N型硅的厚度为150-170μm，电阻率为0.3-2Ω·cm。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括用于驱动第一离子源工作的第一高频射频电源，以及用于驱动第二离子源工作的第二高频射频电源。

7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括气体输入口，所述工艺气体经气体输入口输入至氧化硅工艺腔内。

8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，气体输入口具有至少两个，分别位于腔体的顶部和底部。

9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括装载腔、加热腔、隔离腔、非晶硅制备腔、冷却腔、卸载腔，装载腔、加热腔、氧化硅工艺腔、隔离腔、非晶硅制备腔、冷却腔、卸载腔依序接通。