[实用新型]半导体级硅单晶炉的底部加热器有效
| 申请号： | 202120452264.6 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN215593235U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 万关良 | 申请（专利权）人： | 永清县良晶半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 王振佳 |
| 地址： | 065600 河北省廊*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了半导体级硅单晶炉的底部加热器，包括支撑柱，支撑柱的顶部通过安装螺栓安装有加热炉，加热炉的底部固定有安装板，安装板上安装有风机，加热炉的内部设有加热器块，加热块的底部设有加热器支撑，加热器支撑上安装有卡接装置，加热炉的顶部安装有均热块，通过设有的卡接装置和卡孔，可以方便加热器块的安装拆卸，方便检修提升加热器块的使用寿命，设有的均热块，可以使加热器块的热量集中到均热块上，使加热时均匀加热提高产品的生产质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 级硅单晶炉 底部 加热器 | ||
【主权项】：
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