[实用新型]半导体级硅单晶炉的底部加热器有效

专利信息
申请号: 202120452264.6 申请日: 2021-03-02
公开(公告)号: CN215593235U 公开(公告)日: 2022-01-21
发明(设计)人: 万关良 申请(专利权)人: 永清县良晶半导体设备有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 代理人: 王振佳
地址: 065600 河北省廊*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 半导体 级硅单晶炉 底部 加热器
【说明书】:

实用新型公开了半导体级硅单晶炉的底部加热器,包括支撑柱,支撑柱的顶部通过安装螺栓安装有加热炉,加热炉的底部固定有安装板,安装板上安装有风机,加热炉的内部设有加热器块,加热块的底部设有加热器支撑,加热器支撑上安装有卡接装置,加热炉的顶部安装有均热块,通过设有的卡接装置和卡孔,可以方便加热器块的安装拆卸,方便检修提升加热器块的使用寿命,设有的均热块,可以使加热器块的热量集中到均热块上,使加热时均匀加热提高产品的生产质量。

技术领域

本实用新型属于加热器技术领域,具体为半导体级硅单晶炉的底部加热器。

背景技术

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,硅、锗、砷化镓和硫化镉都是半导体材料,硅是最常见应用最广的半导体材料,单晶硅材料制造要经过如下过程:石英砂-冶金级硅-提纯和精炼-沉积多晶硅锭-单晶硅-硅片切割,其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等,应用广泛。

授权公告号CN206188922U的公开的直拉单晶用加热器,本实用新型涉及直拉单晶用加热器,包括圆筒状的加热器本体,加热器本体包括上部产热部和下部产热部,上部产热部的产热量大于下部产热部的产热量;直拉单晶用加热器安装到单晶炉中后,上部产热部与单晶棒结晶面以及单晶棒结晶面以上的区域对应,能够增大单晶棒的纵向温度梯度;下部产热部与坩埚对应,能够降低坩埚中的硅液的纵向温度梯度。减少了硅液底部的氧含量随着热对流向上移动到单晶棒结晶面,提高了单晶棒的质量。增大单晶棒的纵向温度梯度和降低坩埚中的硅液的纵向温度梯度能够提高单晶棒的拉速,从而提高生产效率和节约成本。

传统的半导体级硅单晶炉的底部加热器,加热时加热温度不均匀,影响局部的加热效果,对加热后产生的产品质量参差不齐,而且加热器的检修极其不便,导致加热器的长时间使用耗费使用寿命并且使加热效果变的极差,影响产品质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供半导体级硅单晶炉的底部加热器,以解决加热温度分布不均,加热器检修更换不便的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:半导体级硅单晶炉的底部加热器,包括支撑柱,支撑柱为高强度石墨制成,支撑柱用于支撑加热炉,也用于支撑所要加热的产品,电源的通过支撑柱传递到加热炉中,所述支撑柱的顶部通过安装螺栓安装有加热炉,通过螺栓安装,方便加热炉损坏更换或者加热炉的维修,也可以根据需求更换其他种类的加热器加热,使其应用更加广泛,所述加热炉的底部固定有安装板,所述安装板上安装有风机,安装板用于安装风机,可以通过风机吹送气体,也可以根据需更换其他的辅助加热装置使加热方式多样,所述加热炉的内部设有加热器块,加热器块用于产生高温加热,所述加热块的底部设有加热器支撑,所述加热器支撑上安装有卡接装置,通过卡接装置与加热器支撑,可以方便加热器块的检修,或者更换不同功亏的加热器块以满足加热温度的需求。所述加热炉的顶部安装有均热块,均热块用于可以将顶部发出的热量在圆口处发热均匀,从而使受加热的产品加热均匀,提升产品质量。

优选的,所述支撑柱的底部安装有垫片,垫片为石墨纸材料制成,墨纸散热效率高,可以将支撑柱受到的加热很好的散热,所述支撑柱的内部设有绝热块,绝热块由固化碳毡材料制成,导热系数高可以很好的将热量传递出去。

优选的,所述加热炉的底部设有通孔,所述风机上设有进风管,所述风机的出风口与通孔连接,通过开启风机可以将风吹入通孔,使加热器块发出的热量快速集中到均热块,使均热块可以快速到达高温,也可以将风机更换成其他的辅助加热装置,例如通过然后提高加热能力等。

优选的,所述加热炉的上设有卡接槽,所述加热器支撑上设有卡孔,所述卡接槽与卡孔同轴心,通过设置卡接槽与卡孔同轴心对准,可以使拉杆正常穿过卡孔,可以定位加热器支撑,进而使加热器块固定安装,更加方便更换加热器块。

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