[实用新型]半导体级硅单晶炉的底部加热器有效
| 申请号： | 202120452264.6 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN215593235U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 万关良 | 申请（专利权）人： | 永清县良晶半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 王振佳 |
| 地址： | 065600 河北省廊*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 级硅单晶炉 底部 加热器 | ||
1.半导体级硅单晶炉的底部加热器，包括支撑柱(1)，其特征在于：所述支撑柱(1)的顶部通过安装螺栓(4)安装有加热炉(3)，所述加热炉(3)的底部固定有安装板(7)，所述安装板(7)上安装有风机(8)，所述加热炉(3)的内部设有加热器块(5)，所述加热器块的底部设有加热器支撑(51)，所述加热器支撑(51)上安装有卡接装置(10)，所述加热炉(3)的顶部安装有均热块(6)。
2.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述支撑柱(1)的底部安装有垫片(11)，所述支撑柱(1)的内部设有绝热块(2)。
3.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述加热炉(3)的底部设有通孔(9)，所述风机(8)上设有进风管(81)，所述风机(8)的出风口与通孔(9)连接。
4.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述加热炉(3)的上设有卡接槽(31)，所述加热器支撑(51)上设有卡孔(52)，所述卡接槽(31)与卡孔(52)同轴心。
5.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述卡接装置(10)上设有拉杆(101)，所述拉杆(101)安装在卡接槽(31)与卡孔(52)中，所述拉杆(101)上设有卡环(102)，所述卡环(102)的顶部套有弹簧(103)，所述拉杆(101)的一端设有密封垫(104)。
6.根据权利要求1所述的半导体级硅单晶炉的底部加热器，其特征在于：所述均热块(6)上设有均热环(61)，所述均热环(61)绕均热块(6)中心等角度分布。
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