[实用新型]CMOS结构、半导体芯片及电子装置有效
| 申请号： | 202120286193.7 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN214411166U | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 曹进伟;陈孟邦;卢玉玲;邹云根;蔡文前;张丹丹;肖敏;陈航强;林丽菲 | 申请（专利权）人： | 宗仁科技（平潭）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 夏智海 |
| 地址： | 350400 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种CMOS结构、半导体芯片及电子装置，CMOS结构包括：第一金属层；介质层，介质层形成于第一金属层上；以及第二金属层，第二金属层形成于介质层上，第二金属层具有刻蚀槽，刻蚀槽的深度的为H，刻蚀槽的宽度为L，其中，2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸，2μm≤b≤6μm；利于刻蚀槽采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方式刻蚀而成，可采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别对第二金属层刻蚀一部分，以减小刻蚀槽的横向刻蚀尺寸，从而可有效减小因全采用湿法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 结构 半导体 芯片 电子 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
