[实用新型]一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件有效
| 申请号： | 202120214329.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN214313186U | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 周炳;翁加付;闵财荣;王啸 | 申请（专利权）人： | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 334200 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，包括上盖板和半导体固定槽，所述上盖板表面设置有半导体固定槽，在上盖板的底端设置有散热层，在散热层的前端设置有散热网，散热网的中间设置有冷却液加注口，当冷却液从加注口加入后，将半导体安装到半导体固定槽内部，通过底座的四个螺栓固定孔将Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件安装到位后，半导体产生的大量热量通过底端的金属制成散热层吸热，在散热层的内部散热液快速六流动过程中通过散热网与空气中的冷空气热量加快交换，提升的半导体的散热速度，提升半导体工作性能，相比于传统半导体器件，新型Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件散热效率更加高效，适用范围更广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 gam 外延 igbt 半导体器件 | ||
【主权项】：
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