[实用新型]一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件

说明书

本实用新型公开一种Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件，包括上盖板和半导体固定槽，所述上盖板表面设置有半导体固定槽，在上盖板的底端设置有散热层，在散热层的前端设置有散热网，散热网的中间设置有冷却液加注口，当冷却液从加注口加入后，将半导体安装到半导体固定槽内部，通过底座的四个螺栓固定孔将Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件安装到位后，半导体产生的大量热量通过底端的金属制成散热层吸热，在散热层的内部散热液快速六流动过程中通过散热网与空气中的冷空气热量加快交换，提升的半导体的散热速度，提升半导体工作性能，相比于传统半导体器件，新型Si衬底‑GAM外延的IGBT半导体器件散热效率更加高效，适用范围更广。

技术领域

本实用新型属于半导体器件相关技术领域，具体涉及一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件。

背景技术

IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上，IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见，IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

现有的技术存在以下问题：

现有的IGBT半导体器件使用场景较为广泛，使用与各种场景，对设备的自身的防护性能有较大要求，半导体在受到高温时，自身的性能会有显著的下降，温度过高可能会造成半导体的顺坏，影响设备的运转控制，对安装的设备造成极大损失。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件，以解决上述背景技术中提出的现有的IGBT半导体器件使用场景较为广泛，使用与各种场景，对设备的自身的防护性能有较大要求，半导体在受到高温时，自身的性能会有显著的下降，温度过高可能会造成半导体的顺坏，影响设备的运转控制，对安装的设备造成极大损失问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件，包括上盖板和半导体固定槽，所述上盖板表面设置有半导体固定槽，所述半导体固定槽表面设置有半导体固定板，所述上盖板底端设置有散热层，所述散热层底端设置有底座，所述底座表面设置有固定栓孔，所述散热层前端设置有散热网，所述散热网一侧设置有冷却液加注口，所述半导体固定板一侧设置有识别牌，所述识别牌表面设置有识别二维码。

优选的，所述固定栓孔共设置有四个，且四个固定栓孔分别设置在底座表面拐角处。

优选的，所述半导体固定板共设置有六个，且六个半导体固定板分别在六个半导体固定槽的上方。

优选的，所述半导体固定板表面设置有螺纹槽，通过螺纹槽方便半导体固定板安装。

优选的，所述散热层内部设置有大量散热液所述散热层内部与散热网相连接。

优选的，所述散热层和散热网采用金属制成，具有良好的导热性能。

优选的，所述识别牌表面的识别二维码内部设置有半导体的性能参数。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件，具备以下有益效果：